微电子学院研究成果入选2018 IEEE 亚洲固态电路（A-SSCC）会议
日期：2018-11-09 点击数： 来源：
11月5~7日，IEEE亚洲固态电路会议（IEEE A-SSCC）在台湾省台南市隆重举行。近年来，亚洲各国已成为集成电路设计、制造和应用成长幅度最大的区域。在此背景下，兼具学术与产业影响力的A-SSCC已成为全球芯片设计领域的重要国际会议。自开办以来，A-SSCC已成功举办14届，为全球集成电路设计领域学术和产业的发展起到了重要的推动作用。
今年A-SSCC的主题是“Silicon Enabling Mobile Intelligence”，来自全球18个国家的集成电路设计领域专家和学者参加了本次会议。台湾台积电业务开发副总经理张晓强、韩国三星资深副总裁Nam Sung Kim、日本DOCOMO Tech总裁Seizo ONOE和中国紫光集团首席科学家&资深副总裁Yi Kang分别作了题为“Circuit Design in Nano-Scale CMOS Technologies”、“Open the New World of 5G”、“Practical Challenges in Supporting Functions in Memory和“AI Drive Domain Specific Processor”的特邀报告，深入讨论了集成电路未来发展趋势以及5G和AI等新兴领域集成电路的设计和应用前景。
科技论文方面，本次大会延续了历届A-SSCC遴选论文高标准的传统。本次大会投稿213篇，仅录用86篇（录取率为40.4%）。录用论文总数排名前5的国家和地区分别为：日本（17篇）、中国台湾（17篇）、中国大陆（13篇）、美国（12）篇、韩国（10）篇。
西安交通大学微电子学院本次有1篇论文入选A-SSCC，题目为“A 1-V 3.1-ppm/°C 0.8-µW Bandgap Reference with Piecewise Exponential Curvature Compensation”，作者为罗红瑞（硕士生）、孙权（博士生）、张瑞智（副教授）和张鸿（副教授）。该论文报道了一款高精度（温漂仅为3.1ppm/℃）的带隙基准集成电路，在其设计中提出了创新的分段指数曲率补偿方法，以得到超低的温度系数。芯片基于180nm、1P4M标准CMOS工艺设计和制造，核心面积为0.115 mm2，功耗仅为0.8μW。
芯片显微照片
温度系数测试曲线
罗红瑞在A-SSCC 2018 模拟IC分会上做口头报告
西安交大参会代表合影
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