重要教学科研基地

师资概况

首页>>师资队伍>>师资概况>>正文

张国和

发布日期:2016-02-29  浏览次数:

说明: 张国和.JPG

姓名

张国和

职称

副教授,博导

邮箱

zhangguohe@mail.xjtu.edu.cn

个人主页

zhangguohe.gr.xjtu.edu.cn

 

 

 

 

 

 

1、学习和工作经历

2012/12-至今,西安交通大学,电信学院微电子学院,副教授

2013/2-2013/5,英国利物浦大学,短期交流学习。

2009/10- 2012/10,西安交通大学,能动学院核科学与技术系,博士后

2009/02 – 2012/12,西安交通大学,电信学院微电子学系,讲师

2003/09-2008/12,西安交通大学,电信学院电子科学与技术系,博士

1999/09-2003/07,西安交通大学,电信学院电子科学与技术系,学士

2、研究领域或方向

²  半导体器件物理及模型研究

²  数模混合集成电路设计

²  视觉信息与图像处理VLSI设计

²  VLSI可测性设计

²  类脑计算

3、正在或曾经承担的科研项目

1)中电24所项目:XXXX器件研究,2017-2018,主持。

2)中电24所项目:XXXX A/D转换器结构研究,2017-2018,主持。

3)中国科学院微电子所硅器件技术重点实验室开放基金:纳米尺寸SOI MOSFET器件热生成及导热机理模型研究,2016-2017,主持。

4)北京微电子技术研究所合作项目:XXXX芯片,2016-2017,主持。

5核高基大专项子课题:XXXXXX2015-2017,主持。

6)企业横向合作项目:基于深度学习的目标跟踪系统的研发,2015-2017,参与。

7)北京华大九天软件有限公司合作项目:SAR ADC数字校准算法研究,2015-2016,主持。

8国家自然科学基金青年自然科学基金项目:随机掺杂纳米SOI MOSFETs器件模型研究,2014-2016,主持。

9)国家电网项目:变压器绕组变形在线监测芯片及其应用关键技术研究,2014-2016,参与。

10)国家自然科学基金重大项目,非绑定自组织网络的弱状态路由与后IP寻址,2012-2016参与

11)国家自然科学基金面上项目,Si SOI微剂量阵列探测器物理设计关键问题研究,2012-2015参与。

12国家自然科学基金面上基金项目:垂直围栅MOSFET 工艺、性能及模型研究,2012.1-2015.12,参与。

13 国家自然科学基金面上基金项目:超深亚微米SOI 器件的重离子单粒子效应新机理研究,项目批准号11175138 2012-2015,参与。

14国家自然科学基金青年基金项目:基于NoC 的同构多核SoC 并发在线测试研究,2011-2013,参与。

15)教育部博士点基金项目:微纳米SOI 器件的重离子位移损伤效应机理研究,2011-2013,参与。

16)西安交通大学学科综合交叉类科研项目:多种辐射机制下微纳米SOI器件效应分析与加固设计,2001-2013,主持。

17西安交通大学大学自由探索与自主创新类项目:多维相似性测试图形理论及其在纳米电路测试中的应用,2011-2012,主持。

18核高基大专项子课题:XXXXXX2009-2012,主持。

19)教育部博士点基金新教师基金项目:非均匀掺杂全耗尽SOI-MOSFET I-V模型研究,2010-2012,主持。

 

4、科研成果

1)发表论文

[1] 张国和, 黄凯,张斌, 符欢欢, 赵季中. 最大稳定极值区域与笔画宽度变换的自然场景文本提取方法. 西安交通大学学报, 2017.01.05, 51(1):135-140.

[2] Sufen Wei, Guohe Zhang*, Huixiang Huang, Jing Liu, Zhibiao Shao, Li Geng, Cheng-Fu Yang, Analytical subthreshold current modleing of nanoscale ultra-thin body ultra-thin box SOI MOSFETs with a vertical gaussian doping profile, Microsystem Technologies, 2016,159(7):9-16.

[3] Sufen Wei, Guohe Zhang*, Zhibiao Shao, Huixiang Huang, Li Geng, Analytic modeling ofpotential and threshold voltage for short-channel thin-body fully depleted silicon-on-insulator MOSFETs with a vertical Gaussian doping profileJapanese Journal of Applied Physics, 2016, 55(10): 104201-1-9.

[4] Tian Zhao, Xuan Liu, Guohe Zhang*, Yali Su, Design of a Programmable and Low-Frequency Filter for Biomedical Signal Sensing ApplicationsCISP-BMEI 2016Datong, China. 2016.10.15-2016.10.17.

[5] Peilin Jiang, Fei Wang, Xing Wang, Xuetao Zhang, Ding Ding,Hui Li, Guohe Zhang*, A Novel Cascading Red Blood Cell Segmentation Method, JOURNAL OF MEDICAL IMAGING AND HEALTH INFORMATICS, 2016, 6(7):1708-1713.

[6] Guohe ZhangY GuJ LiH Tao, An Improved Model of Self-Heating Effects for Ultra-thin Body SOI NMOSFETs Based on Phonon Scattering Analysis, IEEE Electron Device Letters, 2015, 36(6):534-536.

[7] Guohe Zhang, Yunlin Zeng, Feng Liang, A novel SEU tolerant SRAM data cell design, IEICE Electronics Express, 12(17), 2015.

[8] Wang Li, Zhang GuoHe*, Zeng YunLin,A novel SEU tolerant SRAM data cell design, SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 58(11):1983-1988, 2015.

[9] Yuwei Gu, Chengqing Wei, Guohe Zhang, Xuejie Shi, A Fast 3-D TCAD Structure Generation Method for FinFET Devices and Circuits Simulation, China Semiconductor Technology International Conference, March 15, 2015.

[10] 曾云霖,苏亚丽,张国和*. 一种用于生物医学信号采集的低噪声前置放大器设计,第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会,太原,2014.8.4-8.8. (in Chinese)

[11] 刘晓波,刘沛,刘书焕,张国和*. 一种应用于粒子探测器的低噪声模拟前端电路设计,第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会,太原,2014.8.4-8.8.

[12] 张国和,冀丽丽,张林林,雷绍充,梁峰,一种低功耗测试图形生成方法, 西安交通大学学报,472),47-522013.

[13] 张国和郑雪,陈克斌. 基于粒子群优化算法的BSIM SOI模型参数提取,微电子学与计算机,301),90-942013.

[14] Guohe Zhang, Kebin Chen, Xue Zheng, Feng Liang, Zunchao Li, A Subthreshold Swing Model for Fully-Depleted Silicon-on-Insulator Metal– Oxide–Semiconductor Field Effect Transistors with Vertical Gaussian Profile Japanese Journal of Applied Physics, 2013, 52(1), 014301:1-5.

[15] Feng Liang Luwen Zhang Shaochong Lei Guohe Zhang* Kaile Gao Bin LiangTest Patterns of Multiple SIC Vectors: Theory and Application in BIST SchemesIEEE Transactions on very Large Scale Integradion (VLSI) Systems, 2013, 21(4):614-623.

[16] Tang DuLi YongHongZhang GuoHeHe ChaoHuiFan YunYunSingle event upset sensitivity of 45 nm FDSOI and SOI FinFET SRAMSCIENCE CHINA Technological Sciences, 56(3), 780-785,2013.

[17] Ma Rong, Zhang Yulong, Zhang Guohe. On a Kind of Dirichlet Character Sums, Abstract and Applied Analysis, 750964:1-8, 2013.

[18] Guohe ZhangKebin ChenFeng Liang A Subthreshold Current Model of Fully-Depleted Silicon-on-Insulator Metal–Oxide–Semiconductor Field Effect Transistors with Vertical Gaussian ProfileJapanese Journal of Applied Physics51(2), 024301:1-5, 2012.

[19] Guohe Zhang Huibin Tao Jun Shao Shaochong Lei Feng LiangLow-power programmable linear-phase filter designed for fully balanced bio-signal recording applicationIEICE Electronics Express9(17)1402-14072012.

[20] Guohe Zhang Jun Shao Feng Liang Dongxuan BaoA novel Single Event Upset hardened CMOS SRAM cell IEICE Electronics Express 93),140-1452012.

[21] Guohe Zhang, Jun Shao, Xiao Xiao, Xiaoying Wang, Low-Power Programmable Linear-Phase Filter for Fully Balanced Bio-Signal RecordingThe 2th International Conference on Electronics, Communication and Control, 2012.10.16-20, Zhoushan.

[22] 张国和,邵隽,陈婷. 正背栅SOI-MOSFET二维阈值电压解析模型,世界科技研究与发展,34(1)29-342012.

[23] 胡志良,贺朝会,张国和,郭达禧,超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟,原子能科学技术,454),456-4602011.

[24] 肖筱,张国和*SOI MOSFET中子辐射效应模拟研究,第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术会议 258-263页,三亚,2011.11.17-19,大会报告.

[25] 李尊朝,尤一龙,张国和,张莉丽,崔吾元. 垂直硅纳米线工艺研究,第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议,141-144页,三亚,2011.11.18-20,大会报告.

[26] Xue ZhengGuohe ZhangKebin Chen A Parameter Extraction Method Based on Particle Swarm OptimizationInternational Semiconductor Device Research Symposium, 81560335, 1-2, Maryland, USA, 2011.12.07-09.

[27] Guohe ZhangShaochong Lei Feng Liang*Mamoru Tanaka Basnet Ganesh KumarDesign of Four-wave Oscillating Cellular-Neural-NetworkIEICE Electronics Express812)944-9492011.

[28] Zhang GH, Shao ZB, Zhou K. Threshold voltage model of short-channel FD-SOI MOSFETs with vertical Gaussian profile. IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55(3): 803-809.

[29] Zhang GH, Wang B, Liang F, Shao ZB. A Low-Kickback-Noise and Low-voltage Latched comparator for high-speed Folding and Interpolating ADC. IEICE Electronics Express, 5(22): 943-948.

[30] Zhang GH, Shao ZB, Hu ZG. A Novel Capacitor-less 2-T SOI DRAM Cell. International Semiconductor Device Research Symposium, 2007:56-57.

[31] Qi Y, Zhang GH, Shao ZB, Wang B. A low kick back noise latched comparator for high speed folding and interpolating ADC. 9th IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems, December 2008:272-275.

[32] Zhang GH, Shao ZB, Zhou K, A Compact Model for Overlapped LDD FD SOI MOSFETS. International Semiconductor Device Research Symposium, 2007: 136-137.

[33] Zhang GH, Shao ZB, Zhou K. Threshold Voltage Model for a Fully Depleted SOI-MOSFET with a Non-uniform Profile. Chinese Journal of Semiconductors,2007, 28(6):842-847.

[34] Zhang GH, Shao ZB, Han B, et al. Study of a Novel Fully-Depleted Dual-Gate MOSFET. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(9):1359-1363.

2)专著

[1] 雷绍充,梁峰,张鸿,张国和,SOC测试,西安交通大学出版社,2011.

3)专利授权与申请

[1] 雷绍充, 张国和, 曹磊, 王震, 梁峰, 刘泽叶,集成电路测试数据的压缩生成方法,中国,ZL201010256212.8.

[2] 雷绍充, 王震, 张国和, 刘泽叶,一种集成电路的低功耗二维测试图形生产器,中国,ZL201010103360.6.

[3] 包东烜, 邵志标, 张国和, 姚剑峰,一种抗单粒子翻转和单粒子瞬态脉冲的半动态触发器. 中国,ZL201010577104.0.

[4] 张国和,姚思远,李剑雄,赵晨,顾亦熹,一种新型的抗单粒子翻转SRAM存储单元.中国,ZL201210222441.7.

[5] 张国和,李剑雄,赵晨,姚思远,顾亦熹. 一种抗单粒子翻转的敏感放大器.中国,ZL201210500359.6.

[6] 张国和,曾云霖,段国栋.一种高写入速度低静态功耗抗单粒子翻转的SRAM单元,中国,ZL201410712195.2.

[7] 段国栋,赵晨,王飞,梅魁志,张国和,张斌. 一种连通量统计信息提取方法及VLSI结构,中国,ZL201510091584.2

[8] 张国和,曾云霖,段国栋. 一种抗单粒子翻转的SR锁存器,专利申请号:CN201410713200.1.

[9] 张国和,曾云霖. 一种抗单粒子翻转的静态随机存储单元, 专利申请号:CN201410713197.

[10] 张国和,曾云霖,顾郁炜,陈云. 一种两步转换逐次逼近型模数转换电路结构, 专利申请号:CN201510076029.2.

[11] 韦素芬,黄辉祥,张国和,邵志标,耿莉. 一种体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型及其建立方法和阈值电压计算方法, 专利申请号:CN201510442616.9.

[12] 张国和,顾郁炜,王金磊,闵瑞清,雷绍充. 一种提高ADC采样精度的电路结构及方法, 专利申请号:CN201510556054.0.

[13] 张国和,陈云,王丽,段国栋. 一种具有低延时功耗积的抗单粒子翻转的锁存器, 专利申请号:CN201510940345.X.

[14] 常文治,顾郁炜,毕建刚,王金磊,闵瑞清,邓彦国,吴立远,张国和,雷绍充. 一种新型12位平方运算组合电路, 专利申请号:CN201511022683.1.

[15] 毕建刚,王金磊,常文治,顾郁炜,闵瑞清,袁帅,邓彦国,张国和,雷绍充. 一种快速开方集成电路, 专利申请号:CN201511021266.5.

[16] 常文治,王金磊,毕建刚,顾郁炜,闵瑞清,杨宁,是艳杰,张国和,雷绍充. 一种优先权判断电路, 专利申请号:CN201511028985.X.

 

Emailzhangguohe@xjtu.edu.cn

地址:陕西省西安市碑林区咸宁西路28号,710049

上一条:程军
下一条:师资队伍(排名不分先后,带*为博导)

关闭