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2019年微电子学院硕士招生考试专业课849、910考试大纲

发布日期:2018-10-17  浏览次数:

可参见链接:http://gmis.xjtu.edu.cn/zsbm/ssks/sskskm/kskm

 

849  半导体物理与器件

 

考试大纲

1. 半导体中的电子状态

2. 半导体中杂质和缺陷能级

3. 半导体中载流子的统计分布

4. 半导体的导电性

5. 非平衡载流子

6.  PN结

7. 金属和半导体接触

8. 半导体表面和MIS结构

9. 异质结的基础概念

10. 半导体的光学性质

11. 霍耳效应  

 

 

参考书

《半导体物理学 (第七版)》刘恩科、朱秉升、罗晋生编著,电子工业出版社2011年3月1日出版,ISBN: 9787121129902

 

910 CMOS集成电路设计

 

考试大纲

(数字集成电路部分

1. CMOS反相器的静态特性和动态特性,反相器功耗;

2. CMOS传输门;

3. CMOS组合逻辑电路;

4. CMOS时序逻辑电路(RS触发器、锁存器、边沿触发的D触发器);

5. 动态CMOS逻辑电路(预充电-求值(PE)逻辑、多米诺逻辑);

6. 数字集成电路连线模型、延时、寄生参数;

7. 数字集成电路设计流程、设计方法

 

  CMOS模拟集成电路部分

8. 单级放大器、差动放大器、无源与有源电流镜;

9. 运算放大器结构与设计;

10. 模拟集成电路中的反馈;

11. 放大器的频率特性与频率补偿

 

参考书目:

CMOS数字集成电路部分:1或2均可

1、 Sung-Mo Kang, Yusuf Leblebici, Chulwoo Kim 著,王志功,窦建华 译,CMOS数字集成电路——分析与设计(第4版),电子工业出版社,2015年4月出版,ISBN:9787121249877

2、 Rabaey J著,周润德等译,数字集成电路——电路、系统和设计(第二版),电子工业出版社,2010年111日出版,ISBN:9787121119828

CMOS模拟集成电路部分

3、 模拟CMOS集成电路设计,[美]毕查德.拉扎维 著, 陈贵灿程军张瑞智等译,西安交通大学出版社20032月出版,ISBN:9787560516066


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