2019年微电子学院硕士招生考试专业课849、910考试大纲
日期：2018-10-17 点击数： 来源：
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849 半导体物理与器件
考试大纲
1. 半导体中的电子状态
2. 半导体中杂质和缺陷能级
3. 半导体中载流子的统计分布
4. 半导体的导电性
5. 非平衡载流子
6. PN结
7. 金属和半导体接触
8. 半导体表面和MIS结构
9. 异质结的基础概念
10. 半导体的光学性质
11. 霍耳效应
参考书：
《半导体物理学 (第七版)》刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，电子工业出版社，2011年3月1日出版，ISBN: 9787121129902
910 CMOS集成电路设计
考试大纲
（数字集成电路部分）
1. CMOS反相器的静态特性和动态特性，反相器功耗；
2. CMOS传输门；
3. CMOS组合逻辑电路；
4. CMOS时序逻辑电路(RS触发器、锁存器、边沿触发的D触发器)；
5. 动态CMOS逻辑电路(预充电-求值（PE）逻辑、多米诺逻辑)；
6. 数字集成电路连线模型、延时、寄生参数；
7. 数字集成电路设计流程、设计方法
（CMOS模拟集成电路部分）
8. 单级放大器、差动放大器、无源与有源电流镜；
9. 运算放大器结构与设计;
10. 模拟集成电路中的反馈；
11. 放大器的频率特性与频率补偿
参考书目：
（CMOS数字集成电路部分：1或2均可）
1、 Sung-Mo Kang, Yusuf Leblebici, Chulwoo Kim 著，王志功，窦建华 译，CMOS数字集成电路——分析与设计（第4版），电子工业出版社，2015年4月出版，ISBN:9787121249877
2、 Rabaey J著，周润德等译，数字集成电路——电路、系统和设计（第二版），电子工业出版社，2010年11月1日出版，ISBN：9787121119828
（CMOS模拟集成电路部分）
3、 模拟CMOS集成电路设计,[美]毕查德.拉扎维 著, 陈贵灿，程军，张瑞智等译,西安交通大学出版社，2003年2月出版，ISBN：9787560516066
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